化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏永良，刘文川，邓景屹 |
| 刊名 | 炭素
 |
| 出版日期 | 1996-09-21 |
| 期号 | 3页码:12-17 |
| 关键词 | C／SiC复合材料 增强骨架 界面层 基体 材料性能 |
| 中文摘要 | 本研究用化学气相渗技术制备了四种Ｃ／ＳｉＣ复合材料：在ＣＨ３ＳｉＣｌ３＋Ｈ２（普通）＋Ａｒ（高纯）系统中制各了两种材料：材料Ａ为１Ｋ炭布层叠无热解炭界面层，材料Ｂ为１Ｋ炭布层叠有热解炭界面层；在ＣＨ３ＳｉＣｌ３＋Ｈ２（高纯）＋Ａｒ（高纯）系统中制备了另两种材料：材料Ｃ和材料Ｄ分别为１Ｋ、Ｔ３００炭布层叠有热解炭界面层．分别对其中每两种材料进行了相互比较，研究了骨架纤维、界面层及基体对整个复合材料性能的影响；通过控制上述三方面因素可以对Ｃ／ＳｉＣ复合材料的总体结构进行设计从而控制其材料最终性能。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27975]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏永良，刘文川，邓景屹. 化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制[J]. 炭素,1996(3):12-17. |
| APA | 魏永良，刘文川，邓景屹.(1996).化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制.炭素(3),12-17. |
| MLA | 魏永良，刘文川，邓景屹."化学气相渗(CVI)C/SiC复合材料性能控制".炭素 .3(1996):12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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