用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨
文献类型:期刊论文
作者 | 胡冬,夏非,关振铎 |
刊名 | 硅酸盐学报
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出版日期 | 1996-06-26 |
期号 | 3页码:347-351 |
关键词 | 碳化硅 二硅化钼 浸渗 烧结 |
中文摘要 | 探讨了用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC,研制了烧结温度为1650℃的反应烧结SiC,并且探索了以难熔的第二相MoSi_2取代反应烧结SiC方法。所获得的SiC/MoSi_2复合材料的相对密度为96.45%。检测了烧结体的微观结构及力学性能,并进行了讨论。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28015] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡冬,夏非,关振铎. 用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨[J]. 硅酸盐学报,1996(3):347-351. |
APA | 胡冬,夏非,关振铎.(1996).用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨.硅酸盐学报(3),347-351. |
MLA | 胡冬,夏非,关振铎."用(Si+Mo)合金浸渗反应烧结SiC工艺的初步探讨".硅酸盐学报 .3(1996):347-351. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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