用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴伟明，高英俊，邓文，许少杰，冯冠之，钟夏平，蒋晓军 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1996-03-10 |
| 期号 | 3页码:160-163 |
| 关键词 | 正电子寿命谱 Al－Li－Cu－Mg－Zr合金 深低温 缺陷 体电子密度 |
| 中文摘要 | 测量了欠时效和峰值时效的Ａｌ—Ｌｉ—Ｃｕ—Ｍｇ－Ｚｒ合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱．对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明．两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多；缺陷的平均开空间更大．而且随着δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）相粒子的长大，样品基体中自由电子密度提高，增加了合金基体的强度． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28062]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴伟明，高英俊，邓文，许少杰，冯冠之，钟夏平，蒋晓军. 用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度[J]. 核技术,1996(3):160-163. |
| APA | 吴伟明，高英俊，邓文，许少杰，冯冠之，钟夏平，蒋晓军.(1996).用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度.核技术(3),160-163. |
| MLA | 吴伟明，高英俊，邓文，许少杰，冯冠之，钟夏平，蒋晓军."用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度".核技术 .3(1996):160-163. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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