纳米级SiC晶须的微波合成
文献类型：期刊论文
| 作者 | 戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 1995-11-23 |
| 期号 | 22页码:473-476 |
| 关键词 | SiC 晶须 微波加热 |
| 中文摘要 | 以酚醛树脂、超细炭黑和超细ＳｉＯ２为原料，用微波加热的方法合成了直径在纳米级的ＳｉＣ晶须。用Ｘ射线衍射、分析电镜等手段对ＳｉＣ晶须进行了结构测定。比较并分析了不同的炭源和温度对ＳｉＣ晶须性能的影响． |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28124]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非. 纳米级SiC晶须的微波合成[J]. 金属学报,1995(22):473-476. |
| APA | 戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非.(1995).纳米级SiC晶须的微波合成.金属学报(22),473-476. |
| MLA | 戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非."纳米级SiC晶须的微波合成".金属学报 .22(1995):473-476. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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