化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘文川，魏永良，纪锐，孙守金，刘敏，王作明 |
| 刊名 | 高技术通讯
 |
| 出版日期 | 1995-04-28 |
| 期号 | 4页码:36-40 |
| 关键词 | 均热法 热梯度法 压差－温度梯度法 |
| 中文摘要 | 对均热法、热梯度法和压差－温度梯度法三种化学气相渗ＳｉＣ工艺进行了研究，结果表明：三种方法制备周期依次缩短。均热法适合制备形状复杂的样品，提高沉积效率靠增大沉积炉和多放样品来实现，整个过程受气体自由扩散所控制；热梯度法适合制备形状简单、规则的薄壁试样，每炉只能做一个，过程主要受样品内外温度梯度所控制，用该法可以制备出成分连续变化的功能梯度材料；压差－温度梯度法适合制备板状、圆筒状厚壁样品，过程受样品两侧的温度差和气体压力差所控制。三种方法各有优缺点。根据需要可灵活运用。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28236]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文川，魏永良，纪锐，孙守金，刘敏，王作明. 化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究[J]. 高技术通讯,1995(4):36-40. |
| APA | 刘文川，魏永良，纪锐，孙守金，刘敏，王作明.(1995).化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究.高技术通讯(4),36-40. |
| MLA | 刘文川，魏永良，纪锐，孙守金，刘敏，王作明."化学气相渗（CVI）碳化硅工艺研究".高技术通讯 .4(1995):36-40. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。