用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李亚利，梁勇，高阳，肖克沈，郑丰，王亚庆，胡壮麒 |
| 刊名 | 材料研究学报
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| 出版日期 | 1995-04-25 |
| 期号 | 2页码:149-152 |
| 关键词 | Si_3N_4 晶须 纳米粉 非晶 Si／N／C |
| 中文摘要 | 采用激光诱导有机硅烷气相合成的纳米非晶Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉为原料，在１６００℃，１０１．３ｋＰａＮ２气下，在石墨感应炉中原位制备出α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，其直径为０．１－０．５μｍ，长可达几毫米，纯度较高，无过剩碳及金属杂质 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28238]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亚利，梁勇，高阳，肖克沈，郑丰，王亚庆，胡壮麒. 用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须[J]. 材料研究学报,1995(2):149-152. |
| APA | 李亚利，梁勇，高阳，肖克沈，郑丰，王亚庆，胡壮麒.(1995).用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须.材料研究学报(2),149-152. |
| MLA | 李亚利，梁勇，高阳，肖克沈，郑丰，王亚庆，胡壮麒."用纳米非晶Si／N／C粉原位合成Si_3N_4晶须".材料研究学报 .2(1995):149-152. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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