基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣 |
| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 1994-12-25 |
| 期号 | 6页码:461 |
| 关键词 | 图像分析:5956 原子像:5675 原子结构模型:3874 体界面:3007 高分辨:1452 晶格参数:1271 GaAs:1121 电子显微镜:1088 InSb:1073 半导:967 |
| 中文摘要 | 基于定量原子像图像分析的ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面原子结构模型王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣（中科院金属所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）（中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）由于ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体材料在半导体器件研制与生产中的... |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28299]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣. 基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型[J]. 电子显微学报,1994(6):461. |
| APA | 王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣.(1994).基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型.电子显微学报(6),461. |
| MLA | 王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣."基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型".电子显微学报 .6(1994):461. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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