五次对称准周期晶格的电子状态结构研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍青，谢天生，叶恒强 |
| 刊名 | 中国科学院研究生院学报
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| 出版日期 | 1994-10-30 |
| 期号 | 2页码:145-151 |
| 关键词 | 准晶体 准周期性 电子结构 状态密度 |
| 中文摘要 | 文中对计算电子结构的集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法进行了改进。简化了原子集团的选取方式，提出了求解复数Ｄｙｓｏｎ方程组的矩阵解方法和平均集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法。研究了Ｐｅｎｒｏｓｅ ｔｉｌｉｎｇ的局部、整体和平均电子状态密度。发现了Ｐｅｎｒｏｓｅ ｔｉｌｉｎｇ的局部电子状态密度对准周期点阵的长程有序性特别敏感的性质。提出了计算Ｐｅｎｒｏｓｅ ｔｉｌｉｎｇ局部及整体电子状态密度应遵循的原则．得出了某些合金的准晶相可能是电子化合物的结论。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28337]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青，谢天生，叶恒强. 五次对称准周期晶格的电子状态结构研究[J]. 中国科学院研究生院学报,1994(2):145-151. |
| APA | 王绍青，谢天生，叶恒强.(1994).五次对称准周期晶格的电子状态结构研究.中国科学院研究生院学报(2),145-151. |
| MLA | 王绍青，谢天生，叶恒强."五次对称准周期晶格的电子状态结构研究".中国科学院研究生院学报 .2(1994):145-151. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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