氮化硅晶须的制备与显微结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周延春，陈声崎，夏非 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 1994-05-30 |
| 期号 | 2页码:151-155 |
| 关键词 | 氮化硅 晶须 晶须生长 显微结构 |
| 中文摘要 | 本文通过对Ｓｉ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系统的热力学分析，利用ＳｉＯ＿２和石墨为原料分别在１２００～１３００℃和１２５０～１４００℃流动Ｎ＿２气氛中制备了α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须。并对Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的合成反应机理进行了讨论。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28435]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春，陈声崎，夏非. 氮化硅晶须的制备与显微结构[J]. 人工晶体学报,1994(2):151-155. |
| APA | 周延春，陈声崎，夏非.(1994).氮化硅晶须的制备与显微结构.人工晶体学报(2),151-155. |
| MLA | 周延春，陈声崎，夏非."氮化硅晶须的制备与显微结构".人工晶体学报 .2(1994):151-155. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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