氮化硅晶须显微结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周延春，常昕，周敬，陈声崎，夏非 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1994-04-25 |
| 期号 | 2页码:90-94 |
| 关键词 | Si＿3N＿4 晶须 显微结构 缺陷 |
| 中文摘要 | 利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中有大量的生长缺陷。而β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的生长方向只有（１０１０）一个，且几乎观察不到任何缺陷。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28446]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春，常昕，周敬，陈声崎，夏非. 氮化硅晶须显微结构的研究[J]. 电子显微学报,1994(2):90-94. |
| APA | 周延春，常昕，周敬，陈声崎，夏非.(1994).氮化硅晶须显微结构的研究.电子显微学报(2),90-94. |
| MLA | 周延春，常昕，周敬，陈声崎，夏非."氮化硅晶须显微结构的研究".电子显微学报 .2(1994):90-94. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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