用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨 |
| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 1994-03-15 |
| 期号 | 1页码:1-8 |
| 关键词 | 超晶格 高分辨透射电镜 缺陷 |
| 中文摘要 | 本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出结构较完整以及较平整的超晶格薄层材料. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28464]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨. 用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究[J]. 发光学报,1994(1):1-8. |
| APA | 宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨.(1994).用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究.发光学报(1),1-8. |
| MLA | 宋士惠,关郑平,范广涵,范希武,彭应国,吴玉琨."用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究".发光学报 .1(1994):1-8. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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