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激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究

文献类型:期刊论文

作者李亚利 ; 梁勇 ; 郑丰 ; 胡壮麒
刊名材料科学与工艺
出版日期1993-12-31
期号4页码:60-65
关键词激光合成 六甲基乙硅胺烷 纳米粉 Si_3N_/SiC
中文摘要选择廉价的六甲基乙硅胺烷((Me_3Si)_2NH)和氨气为原料,采用正交设计试验参数的方法,研究了激光功率密度、六甲基乙硅胺烷蒸汽流量、氨气流量对粉体化学组成的影响。制备出低游高碳含量,高Si_3N_4含量的Si_3N_4/SiC粉体。研究结果表明,在选定的试验参数范围内,形成的粉体中Si_3N_4、SiC的相对含量在较大的范围内变化。对Si_3N_4粉体中Si_3N_4的形成影响最大的是激光功率密度,六甲基乙硅胺烷流量对其影响最小。通过试验得到了高Si_3N_4含量,低游离碳含量的Si_3N_4/SiC纳米粉形成的最佳工艺参数。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28511]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李亚利,梁勇,郑丰,等. 激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究[J]. 材料科学与工艺,1993(4):60-65.
APA 李亚利,梁勇,郑丰,&胡壮麒.(1993).激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究.材料科学与工艺(4),60-65.
MLA 李亚利,et al."激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究".材料科学与工艺 .4(1993):60-65.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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