激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究
文献类型:期刊论文
作者 | 李亚利 ; 梁勇 ; 郑丰 ; 胡壮麒 |
刊名 | 材料科学与工艺
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出版日期 | 1993-12-31 |
期号 | 4页码:60-65 |
关键词 | 激光合成 六甲基乙硅胺烷 纳米粉 Si_3N_/SiC |
中文摘要 | 选择廉价的六甲基乙硅胺烷((Me_3Si)_2NH)和氨气为原料,采用正交设计试验参数的方法,研究了激光功率密度、六甲基乙硅胺烷蒸汽流量、氨气流量对粉体化学组成的影响。制备出低游高碳含量,高Si_3N_4含量的Si_3N_4/SiC粉体。研究结果表明,在选定的试验参数范围内,形成的粉体中Si_3N_4、SiC的相对含量在较大的范围内变化。对Si_3N_4粉体中Si_3N_4的形成影响最大的是激光功率密度,六甲基乙硅胺烷流量对其影响最小。通过试验得到了高Si_3N_4含量,低游离碳含量的Si_3N_4/SiC纳米粉形成的最佳工艺参数。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28511] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亚利,梁勇,郑丰,等. 激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究[J]. 材料科学与工艺,1993(4):60-65. |
APA | 李亚利,梁勇,郑丰,&胡壮麒.(1993).激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究.材料科学与工艺(4),60-65. |
MLA | 李亚利,et al."激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究".材料科学与工艺 .4(1993):60-65. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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