离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 1993-10-01 |
| 期号 | 3页码:321-326 |
| 关键词 | 薄膜 氮化铝 磁控溅射 |
| 中文摘要 | 本文采用氮离子束增强反应磁控溅射,在低温下沉积了 AlN 薄膜.用 X 射线衍射和 X 射线光电子谱对薄膜的晶体结构和电子结构进行了分析,结果表明,随着离子源中氮离子束流的增加,薄膜组成由面心立方的 Al 转变为密排立方的 AlN.氮离子在薄膜制备中的引入,有效地降低了沉积温度,提高沉积速率,并实现了薄膜 N/Al 化学计量比的控制.对 AlN 薄膜的紫外-可见光透射谱和红外吸收谱也进行了测定. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28536]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时. 离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜[J]. 无机材料学报,1993(3):321-326. |
| APA | 王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时.(1993).离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜.无机材料学报(3),321-326. |
| MLA | 王浩,黄荣芳,吴杰,洪瑞江,闻立时."离子束增强反应磁控溅射低温快速沉积AlN膜".无机材料学报 .3(1993):321-326. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。