InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孟祥敏 ; 曾一平 ; 胡魁毅 ; 吴玉琨 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1993-05-01 |
| 期号 | 2页码:146 |
| 关键词 | 分子束外延法:4080 错配度:3919 高质量薄膜:3563 界面区:3438 电子平均自由程:3198 电子衍射图:2991 外延生长:2527 光电器件:2501 高分辨象:2498 取向:2324 |
| 中文摘要 | <正> InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28627]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟祥敏,曾一平,胡魁毅,等. InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究[J]. 电子显微学报,1993(2):146. |
| APA | 孟祥敏,曾一平,胡魁毅,&吴玉琨.(1993).InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究.电子显微学报(2),146. |
| MLA | 孟祥敏,et al."InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究".电子显微学报 .2(1993):146. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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