离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时 |
| 刊名 | 材料科学进展
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| 出版日期 | 1992-06-29 |
| 期号 | 3页码:236-240 |
| 关键词 | 薄膜 AlN 磁控溅射 |
| 中文摘要 | 对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜 AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使 Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了 AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28815]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时. 离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性[J]. 材料科学进展,1992(3):236-240. |
| APA | 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时.(1992).离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性.材料科学进展(3),236-240. |
| MLA | 王浩,黄荣芳,洪瑞江,吴杰,闻立时."离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性".材料科学进展 .3(1992):236-240. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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