电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄荣芳,林成福 |
| 刊名 | 粉末冶金技术
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| 出版日期 | 1992-06-29 |
| 期号 | 3页码:178-181 |
| 关键词 | 电弧等离子射流 蒸发反应法 超微粉末 |
| 中文摘要 | 分析了SiC+C、SiC+Si等超微颗粒的形貌、粒度大小及分布和晶体结构。讨论了等离子弧电流I_T和I_J对超微粉粒度的影响。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28816]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄荣芳,林成福. 电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉[J]. 粉末冶金技术,1992(3):178-181. |
| APA | 黄荣芳,林成福.(1992).电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉.粉末冶金技术(3),178-181. |
| MLA | 黄荣芳,林成福."电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉".粉末冶金技术 .3(1992):178-181. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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