Si_3N_4陶瓷的微波烧结
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张劲松,曹丽华,林小利,夏非 |
| 刊名 | 材料科学进展
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| 出版日期 | 1992-04-30 |
| 期号 | 2页码:158-161 |
| 关键词 | 微波烧结 陶瓷 氮化硅 |
| 中文摘要 | 用微波烧结技术和常规无压烧结技术烧结了 Si_3N_4陶瓷。用 XRD,TEM 等方法研究了不同技术烧结的 Si_3N_4样品的组成和显微结构;用三点弯曲和压痕法分别测量了两类样品的抗弯强度和断裂轫性。结果表明,N_2气压的引入可有效地控制微波烧结过程中 Si_3N_4的分解,微波烧结可大幅度降低 Si_3N_4的致密化温度,提高相转变速度,缩短烧结时间,其力学性能也明显地提高。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28842]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松,曹丽华,林小利,夏非. Si_3N_4陶瓷的微波烧结[J]. 材料科学进展,1992(2):158-161. |
| APA | 张劲松,曹丽华,林小利,夏非.(1992).Si_3N_4陶瓷的微波烧结.材料科学进展(2),158-161. |
| MLA | 张劲松,曹丽华,林小利,夏非."Si_3N_4陶瓷的微波烧结".材料科学进展 .2(1992):158-161. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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