热解氮化硼坩埚材料生长与性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵凤鸣 |
| 刊名 | 半导体情报
 |
| 出版日期 | 1991-06-30 |
| 期号 | 6页码:88-91 |
| 关键词 | 化学汽相沉积 氮化合物 物理性质 化学性质 |
| 中文摘要 | 本文叙述了热解氮化硼(PBN)坩埚材料的生长机理与工艺,给出了PBN材料的显微结构照片、晶格参数、物理性能、化学性能、热性能及电学性能。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28962]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵凤鸣. 热解氮化硼坩埚材料生长与性能[J]. 半导体情报,1991(6):88-91. |
| APA | 赵凤鸣.(1991).热解氮化硼坩埚材料生长与性能.半导体情报(6),88-91. |
| MLA | 赵凤鸣."热解氮化硼坩埚材料生长与性能".半导体情报 .6(1991):88-91. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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