SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究
文献类型:期刊论文
作者 | 闻立时,赵航炜,黄荣芳 |
刊名 | 材料科学进展
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出版日期 | 1990-12-27 |
期号 | 6页码:555-558 |
关键词 | 碳化硅 氧化铝 晶须 显微结构 陶瓷 |
中文摘要 | 本文采用 X 射线衍射、扫描电镜、分析电子显微镜和高分辩电镜,研究了热压复合SiC-A1_2O_3陶瓷的相组成、晶须、晶须-基体界面间的显微结构。结果表明,复合陶瓷中的晶须为15R 型 SiC,基体为三方晶型的α-Al_2O_3。晶须内有大量的层错和孪晶;晶须-基体界面间存在一个过渡层,并有一定的取向关系。扫描电镜对样品断口的研究表明,存在晶须拔出和裂纹偏转两种增韧机制。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29042] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 闻立时,赵航炜,黄荣芳. SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究[J]. 材料科学进展,1990(6):555-558. |
APA | 闻立时,赵航炜,黄荣芳.(1990).SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究.材料科学进展(6),555-558. |
MLA | 闻立时,赵航炜,黄荣芳."SiC晶须-Al_2O_3复合陶瓷显微结构的电镜研究".材料科学进展 .6(1990):555-558. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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