Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系
文献类型:期刊论文
作者 | 王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文 |
刊名 | 材料科学进展
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出版日期 | 1990-10-28 |
期号 | 5页码:433-435 |
关键词 | Y-Ba-Cu-O氧化物 交流磁化率 临界电流密度 |
中文摘要 | 同时测量了一些 Y-Ba-Cu-O 超导样品的交流磁化率、正常态电阻和临界电流密度。计算了交流磁化率的虚部极大值与实部之比。结果表明,x_(max)~″/x′和ρ_n 小的样品,临界电流密度大。 |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29052] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文. Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系[J]. 材料科学进展,1990(5):433-435. |
APA | 王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文.(1990).Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系.材料科学进展(5),433-435. |
MLA | 王永忠,杨奇雄,郝惠清,乔桂文."Y-Ba-Cu-O超导体的临界电流密度与交流磁化率和正常态电阻的关系".材料科学进展 .5(1990):433-435. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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