小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谌季强,龙期威,汪克林 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1989-08-29 |
| 期号 | 8页码:1360-1363 |
| 关键词 | 声子激发:4965 正电子捕获:4465 空位团:4136 捕获率:4012 浅能级:3692 负温度:1814 温度依赖性:1688 束缚能:1080 声子态密度:903 波函数:654 |
| 中文摘要 | 若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态,则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性。这种温度依赖性有两种类型,且比捕获率的取值也可能相当高,显示了与位错的很大不同。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29218]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谌季强,龙期威,汪克林. 小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率[J]. 物理学报,1989(8):1360-1363. |
| APA | 谌季强,龙期威,汪克林.(1989).小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率.物理学报(8),1360-1363. |
| MLA | 谌季强,龙期威,汪克林."小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率".物理学报 .8(1989):1360-1363. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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