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激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径

文献类型:期刊论文

作者葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依
刊名物理
出版日期1989-04-01
期号3页码:158-160
关键词高氧化物:4800 超导体材料:4470 工艺途径:3876 激光晶体生长:3747 激光加热:3374 高临界电流密度:3077 单晶纤维:1897 金属研究所:1104 定向结晶:1076 YBCO:1029
中文摘要本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理,主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用,尤其是在高Tc氧化物超导体材料提高临界电流密度(Jc)方面所取得的重要成果.
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29270]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依. 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J]. 物理,1989(3):158-160.
APA 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依.(1989).激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径.物理(3),158-160.
MLA 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依."激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径".物理 .3(1989):158-160.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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