激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径
文献类型:期刊论文
作者 | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依 |
刊名 | 物理
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出版日期 | 1989-04-01 |
期号 | 3页码:158-160 |
关键词 | 高氧化物:4800 超导体材料:4470 工艺途径:3876 激光晶体生长:3747 激光加热:3374 高临界电流密度:3077 单晶纤维:1897 金属研究所:1104 定向结晶:1076 YBCO:1029 |
中文摘要 | 本文简要介绍激光加热基座晶体生长技术的基本原理,主要工艺特点及其在多种高熔点氧化物晶体生长中的应用,尤其是在高Tc氧化物超导体材料提高临界电流密度(Jc)方面所取得的重要成果. |
公开日期 | 2012-04-12 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29270] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依. 激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径[J]. 物理,1989(3):158-160. |
APA | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依.(1989).激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径.物理(3),158-160. |
MLA | 葛云龙,胡壮麒,乔桂文,李依依."激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径".物理 .3(1989):158-160. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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