如何提高氧化物超导体材料的电流密度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 葛云龙 |
| 刊名 | 材料导报
 |
| 出版日期 | 1989-01-31 |
| 期号 | 2页码:28-29 |
| 关键词 | 临界电流密度:5567 超导体材料:5028 氧化物:4478 激光加热:2936 研究热潮:2026 烧结法:1658 晶体生长技术:1614 膜材料:1493 超导相:1387 温度梯度:1193 |
| 中文摘要 | <正> 在世界范围的氧化物超导研究热潮中,到目前为止,用烧结法制造的钇钡铜氧体材料的电流密度与实用要求仍有很大差距(体材料一般为10~2～10~3A/cm~2,膜材料可达到10~4～10~6A/cm~2,接近使用水平),因此如何 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29290]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛云龙. 如何提高氧化物超导体材料的电流密度[J]. 材料导报,1989(2):28-29. |
| APA | 葛云龙.(1989).如何提高氧化物超导体材料的电流密度.材料导报(2),28-29. |
| MLA | 葛云龙."如何提高氧化物超导体材料的电流密度".材料导报 .2(1989):28-29. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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