硅中氧沉淀的高分辨电镜研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌 |
| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 1987-08-14 |
| 期号 | 15页码:1198-1199 |
| 关键词 | 高分辨电镜研究:6353 方法研究:4669 氧沉淀:4372 集成电路工艺:2400 直拉硅单晶:2231 预先热处理:1658 沉淀速率:1325 硅中氧:1179 有害杂质:1139 新技术:875 |
| 中文摘要 | <正> 最近我们用高分辨电镜方法研究了750℃50—100h退火后直拉硅单晶中的氧沉淀。选择750℃退火的原因有二:①大规模集成电路工艺正在开发以氧沉淀及其诱生的位错、层错吸收有害杂质的新技术,为了提高氧沉淀速率,常在750℃附近的温度对硅片进行预先热处理。②文献报道,750℃附 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29434]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌. 硅中氧沉淀的高分辨电镜研究[J]. 科学通报,1987(15):1198-1199. |
| APA | 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌.(1987).硅中氧沉淀的高分辨电镜研究.科学通报(15),1198-1199. |
| MLA | 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌."硅中氧沉淀的高分辨电镜研究".科学通报 .15(1987):1198-1199. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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