HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲 |
| 刊名 | 材料保护
 |
| 出版日期 | 1987-05-31 |
| 期号 | 5页码:14-18 |
| 关键词 | HCD离子镀 离子镀(Ti 空心阴极放电离子镀 AI 离子沉积 V)N合金 |
| 中文摘要 | 用空心阴极放电(HCD) 离子镀方法,以下TiA1V合金为蒸发源材料,生产出一种具有(Ti,A1,V) N的合金化薄膜.获得的膜是A1,V替代Ti原子的组态.A1,V的引入,组织没明显的变化.薄膜具有符合刀具膜层的较高硬度,可期望得到好的韧性和抗氧化性能. |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29461]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲. HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究[J]. 材料保护,1987(5):14-18. |
| APA | 闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲.(1987).HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究.材料保护(5),14-18. |
| MLA | 闻立时,姜辛,杨尚林,蔡瑜玲."HCD离子镀(Ti,A1,V)N合金薄膜的实验研究".材料保护 .5(1987):14-18. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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