位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谌季强,龙期威,汪克林 |
| 刊名 | 科学通报
 |
| 出版日期 | 1987-05-16 |
| 期号 | 9页码:661-664 |
| 关键词 | 正电子湮没:5757 湮没效应:4287 位错模型:3881 线性膨胀:3854 离子密度:2791 实验结果:2045 模型描述:1960 孔模型:1008 角关联:979 内层电子:859 |
| 中文摘要 | <正> 一、导言 Arponen等提出的位错模型(以下简称A-模型)相当好地和变形Al的正电子(e~+)湮没实验结果符合,但用空心柱孔模型(以下简称C-模型)也能够给出同样好的结果。这说明位错e~+湮没效应的主要贡献来源于位错中心区域,凡是主要考虑位错心的模型均能给出接近实验的结果。然而,C-模型描述位错心过于简化,例如它的离子密度分布在柱孔边界上发生突 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29471]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谌季强,龙期威,汪克林. 位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性[J]. 科学通报,1987(9):661-664. |
| APA | 谌季强,龙期威,汪克林.(1987).位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性.科学通报(9),661-664. |
| MLA | 谌季强,龙期威,汪克林."位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性".科学通报 .9(1987):661-664. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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