热解石墨涂层外延基座的工艺与性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵凤鸣 |
| 刊名 | 碳素
 |
| 出版日期 | 1987-04-02 |
| 期号 | 1页码:38-46 |
| 关键词 | 热解石墨:8991 涂层:3034 工艺与性能:1725 沉积温度:1548 外延片:1386 包硅:1011 三高:702 基体石墨:667 石墨基座:596 热膨胀率:578 |
| 中文摘要 | <正> 一、序言 七十年代初科学院一0九厂用我所涂层的热解石墨基座再包硅,而后在外延中应用,取得了单片基座使用寿命两年之久的好结果。但因多种原因工作未能继续。1976年,我们根据对外延工艺的了解和国内外延基座存在的问题,即:“硅外延片几乎都有雾点,二极管和三极管的制管成品率很低”的状况,推荐使用热解石墨涂层外延基座,首先在辽阳第一晶体管厂进行试用,同时逐渐推广到全国务研究单位和半导体厂。经过一段时间的验证,普遍反应效果良好,使用寿命长,并制得了经铬酸腐蚀液处理后表面 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29492]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵凤鸣. 热解石墨涂层外延基座的工艺与性能[J]. 碳素,1987(1):38-46. |
| APA | 赵凤鸣.(1987).热解石墨涂层外延基座的工艺与性能.碳素(1),38-46. |
| MLA | 赵凤鸣."热解石墨涂层外延基座的工艺与性能".碳素 .1(1987):38-46. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。