硫偏析在钼(111)表面上的有序结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 樊永年 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1986-05-31 |
| 期号 | 5页码:667-671 |
| 关键词 | 表面偏析:5256 硫偏析:5174 俄歇:3825 峰高比:2997 退火时间:2615 有序结构:2471 衍射图:1818 低能电子衍射:1778 动力学实验:1210 饱和值:1044 |
| 中文摘要 | 用AES和LEFD在700—800℃温度范围内研究了硫在钼(111)表面上的偏析动力学和表面结构。样品加热到800℃硫迅速地偏析到表面上并逐步地取代了表面上的碳。加热到700℃硫没有明显的表面偏析。硫的偏析主要受它的体扩散速率的控制,表面碳的存在也抑制了硫的表面偏析。不同温度下的偏析动力学实验后,分别进行了低能电子衍射实验,观察到钼(111)(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-硫和1/3()-硫两种表面结构的低能衍射图。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29594]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樊永年. 硫偏析在钼(111)表面上的有序结构[J]. 物理学报,1986(5):667-671. |
| APA | 樊永年.(1986).硫偏析在钼(111)表面上的有序结构.物理学报(5),667-671. |
| MLA | 樊永年."硫偏析在钼(111)表面上的有序结构".物理学报 .5(1986):667-671. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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