Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李广义 ; 潘正良 ; 王晓伟 ; 肖金泉 |
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 1986-04-01 |
| 期号 | 3页码:26-32 |
| 关键词 | 氢化物:6071 沉淀过程:3746 低频内耗:3716 内耗峰:3163 位错交互作用:2408 冷加工:2338 增强作用:2086 扭转形变:1946 范性形变:1808 加氢:1611 |
| 中文摘要 | 测量了冷加工的高纯Ta丝在电解加氢前后的低频内耗。发现在加氢后除出现氢化物沉淀峰外,氢一位错交互作用的内耗峰也降低,附加范性扭形变对沉淀峰有明显的增强作用;在氧原子可动的温度范围内时效,可以完全消除形变对沉淀峰的增强作用。结果表明,氢化物可能择优在位错上沉淀。沉淀峰的本质可能与位错-氢化物交互作用有关。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29623]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李广义,潘正良,王晓伟,等. Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究[J]. 金属学报,1986(3):26-32. |
| APA | 李广义,潘正良,王晓伟,&肖金泉.(1986).Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究.金属学报(3),26-32. |
| MLA | 李广义,et al."Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究".金属学报 .3(1986):26-32. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。