热解氮化硼在分子束外延中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄运衡 ; 赵凤鸣 |
| 刊名 | 真空科学与技术
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| 出版日期 | 1985-08-29 |
| 期号 | 4页码:59-62 |
| 关键词 | 分子束外延生长:7211 氮化硼:4324 热解:2616 纯度:2045 真空性能:1927 陶瓷材料:1824 源材料:1781 单晶薄膜:1763 高纯石墨:1681 火花源质谱:1449 |
| 中文摘要 | 热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是七十年代发展起来的新型无机陶瓷材料。它可以作绝缘屏蔽和坩锅。本文将介绍PBN材料在分子束外延中用作坩埚,已生长出纯度较高的GaAs,Al_xGa_(1-x)As单晶薄膜。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29666]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄运衡,赵凤鸣. 热解氮化硼在分子束外延中的应用[J]. 真空科学与技术,1985(4):59-62. |
| APA | 黄运衡,&赵凤鸣.(1985).热解氮化硼在分子束外延中的应用.真空科学与技术(4),59-62. |
| MLA | 黄运衡,et al."热解氮化硼在分子束外延中的应用".真空科学与技术 .4(1985):59-62. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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