Ga在Ni(111)表面上形成的超结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 屠礼勋,孙玉珍 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1985-07-30 |
| 期号 | 7页码:964-967 |
| 关键词 | 超结构:8438 蒸镀:3290 LEED:2453 覆盖度:2238 热蒸发源:1628 低能电子衍射:1158 Ni衬底:1074 活动挡板:848 观察到:743 蒸发物:714 |
| 中文摘要 | 使用自制的简易蒸发源,将金属Ga蒸镀在Ni(111)表面上。在亚单层时,用低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)观测到Ga在Ni(111)面上形成(3(1/2)×3(1/2))R30°和(2×2)两种超结构。并建立起近似平衡图,粗略地确定了这两种超结构存在的覆盖度和温度范围。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29668]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 屠礼勋,孙玉珍. Ga在Ni(111)表面上形成的超结构[J]. 物理学报,1985(7):964-967. |
| APA | 屠礼勋,孙玉珍.(1985).Ga在Ni(111)表面上形成的超结构.物理学报(7),964-967. |
| MLA | 屠礼勋,孙玉珍."Ga在Ni(111)表面上形成的超结构".物理学报 .7(1985):964-967. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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