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C_(14)LAVES相的层错与畴结构

文献类型:期刊论文

作者叶恒强 ; 王大能 ; 郭可信
刊名电子显微学报
出版日期1984-08-28
期号4页码:11
关键词非基面层错:4953 畴结构:4000 高分辨电子显微术:3861 高分辨象:3319 结构单元:3051 有序排列:2709 模拟计算:2539 结构模型:2384 五角形:1557 点对应:1520
中文摘要<正> 本工作用高分辨电子显微术,研究了GH135合金中析出的C_(14)Laves相的层错及其有序排列产生的畴结构。该相六角点阵的参数a=0.47,c=0.78nm。象的模拟计算表明,当样品厚度为4nm左右,欠焦量为-40至-70nm时,高分辨象的一个白点对应于结构中的一五角形通道。这时象与结构是直接对应的。图1是Laves相[010]取向的低倍象,字母N、R处分别为(001)层错产生的MgNi_2和MgCu_2结构单元,倾斜和垂直的白箭头分别指示(101)和(100)两种非基面层错。图2左侧是(101)层错的高分辨象,右侧是相应的结构模型,层错区为一条μ相结构单元,C轴同Laves相的C轴成35°角。图3左侧是(100)层错的高倍象,右侧是根据象提出的结
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29734]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
叶恒强,王大能,郭可信. C_(14)LAVES相的层错与畴结构[J]. 电子显微学报,1984(4):11.
APA 叶恒强,王大能,&郭可信.(1984).C_(14)LAVES相的层错与畴结构.电子显微学报(4),11.
MLA 叶恒强,et al."C_(14)LAVES相的层错与畴结构".电子显微学报 .4(1984):11.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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