用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区
文献类型：期刊论文
| 作者 | 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 1981-06-30 |
| 期号 | 6页码:677-681 |
| 关键词 | 塑性区:8645 密度分布:3447 正电子湮灭:2338 技术研究:1940 缺陷效应:1222 有关问题:818 垂直裂纹:816 计算结果:679 变形不均匀:655 弹性区:635 |
| 中文摘要 | <正> 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29969]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威. 用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区[J]. 金属学报,1981(6):677-681. |
| APA | 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威.(1981).用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区.金属学报(6),677-681. |
| MLA | 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威."用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区".金属学报 .6(1981):677-681. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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