硅晶体中单个位错的运动
文献类型：期刊论文
| 作者 | 巴图,何怡贞 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1980-06-29 |
| 期号 | 6页码:698-705 |
| 关键词 | 单个位错:6260 硅晶体:3980 位错环:2905 位错运动:2695 扩展位错:2638 半位错:2381 弯结:2255 分解切应力:2230 运动速度:2043 硅单晶:1542 |
| 中文摘要 | 本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg?mm~(-2)的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程: V(τ,T)=Aτ~me~(-Q/KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30021]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 巴图,何怡贞. 硅晶体中单个位错的运动[J]. 物理学报,1980(6):698-705. |
| APA | 巴图,何怡贞.(1980).硅晶体中单个位错的运动.物理学报(6),698-705. |
| MLA | 巴图,何怡贞."硅晶体中单个位错的运动".物理学报 .6(1980):698-705. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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