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近α-Ti合金Ti_3Si相电子衍射分析

文献类型:期刊论文

作者李永森
刊名金属学报
出版日期1979-05-01
期号4页码:566-568+597
关键词四方晶格:5424 衍射方法:4392 晶格常数:4088 相结构因子:3999 相图:2223 电子衍射花样:1861 计算值:1767 电子衍射分析:1759 合金薄膜:1403 硅化物:1402
中文摘要<正> 在近α-Ti合金中加入适量的Si,能提高其高温强度。Si与Ti、Zr形成细小的硅化物相,分布于α相的内部和边界,起到强化作用。我们曾用电子衍射方法,对几种含Si的钛合金的弥散相进行分析。结果,除了(Ti,Zr)_5Si_3和Zr_5Si_3两种六方晶格的硅化物相外,许多含硅的钦合金也存在四方晶格的TiSi相。
公开日期2012-04-12
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30059]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李永森. 近α-Ti合金Ti_3Si相电子衍射分析[J]. 金属学报,1979(4):566-568+597.
APA 李永森.(1979).近α-Ti合金Ti_3Si相电子衍射分析.金属学报(4),566-568+597.
MLA 李永森."近α-Ti合金Ti_3Si相电子衍射分析".金属学报 .4(1979):566-568+597.

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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