高矽质矽砖烧成过程中的物理化学变化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张绶庆,何崇藩,江渐佳 |
| 刊名 | 金属学报
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| 出版日期 | 1957-04-01 |
| 期号 | 3页码:261-274 |
| 关键词 | 方石英:5558 物理化学变化:4761 添加物:3690 烧成过程:2760 大颗粒:2273 物理性质:2245 鳞石英:2033 温度条件:1979 升温速度:1940 气孔率:1780 |
| 中文摘要 | 为了说明高矽质矽砖在烧成中发生的物理化学变化对制品性质及破裂的影响,以五台(A)、都拉哈拉(B)、石门(C)、江密峰(D)产四种矽石为原料依高矽质矽砖的制造条件制成度样,分别按固定的升温速度烧至1000°,1250°,1250°,1400°,1430℃和在1430℃保温15小时6种温度条件下烧成,根据试样的窑业物理性质与相组成变化讨论了烧成期间影响制品性质和破裂的原因。结果指出: 1.高矽质矽砖的窑业物理性质不论原料的种类如何,均在1000℃以上的温度发生显著的变化。影响这些变化的主要原因是玻璃质的生成和石英的变态转变。2.高矽质矽砖中的石英变态转变过程,依原料种类有很大区别,石英→方石英的转变速度呈:C>A>B>D的顺序;方石英→鳞石英的转变速度呈B>A>C>D的顺序。3.高矽质矽砖在烧成中产生破裂的原因,是基质完全转变之后,石英→方石英转变在大颗粒石英进行时产生的应力状态引起的。4.为了避免烧成破裂,对于A,C两种原料可不加或少加添加物,烧成上火温度应控制在1350℃;B可不加添加物或只加MgO;D需加入适量的添加物,烧成止火温度要略高于1350℃。 |
| 公开日期 | 2012-04-12 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30172]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张绶庆,何崇藩,江渐佳. 高矽质矽砖烧成过程中的物理化学变化[J]. 金属学报,1957(3):261-274. |
| APA | 张绶庆,何崇藩,江渐佳.(1957).高矽质矽砖烧成过程中的物理化学变化.金属学报(3),261-274. |
| MLA | 张绶庆,何崇藩,江渐佳."高矽质矽砖烧成过程中的物理化学变化".金属学报 .3(1957):261-274. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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