硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李元恒
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| 刊名 | 北京大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 1984 |
| 卷号 | 20期号:5页码:8-12 |
| 关键词 | 薄层电阻 电激活 扩散杂质 扩硼 激光辐照 辐照后 固溶度极限 CO_2激光 面密度 |
| ISSN号 | 0479-8023 |
| 通讯作者 | 张玉峰 |
| 中文摘要 | 本文研究了硅中高温扩散硼和磷样品在CW-CO_2激光作用下薄层电阻、载流子面密度、迁移率和表面薄层(450)载流子浓度的变化。经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。通过高温热退火和再次激光辐照研究了“超固溶度”的不稳定性。同时对样品的正面和背面激光辐照对载流子的电激活效果作了比较。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/37622]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李元恒. 硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性[J]. 北京大学学报(自然科学版),1984,20(5):8-12. |
| APA | 李元恒.(1984).硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性.北京大学学报(自然科学版),20(5),8-12. |
| MLA | 李元恒."硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性".北京大学学报(自然科学版) 20.5(1984):8-12. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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