EXPERIMENTAL-STUDY ON THE ER/P-INP SCHOTTKY-BARRIER
文献类型：期刊论文
| 作者 | W. X. Chen ; M. H. Yuan ; K. Wu ; Y. X. Zhang ; Z. M. Wang ; G. G. Qin |
| 刊名 | Journal of Applied Physics
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 78期号:1页码:584-586 |
| 关键词 | electrical-properties indium-phosphide contacts gaas si |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 原文出处 | |
| 公开日期 | 2012-04-14 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/38536]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | W. X. Chen,M. H. Yuan,K. Wu,et al. EXPERIMENTAL-STUDY ON THE ER/P-INP SCHOTTKY-BARRIER[J]. Journal of Applied Physics,1995,78(1):584-586. |
| APA | W. X. Chen,M. H. Yuan,K. Wu,Y. X. Zhang,Z. M. Wang,&G. G. Qin.(1995).EXPERIMENTAL-STUDY ON THE ER/P-INP SCHOTTKY-BARRIER.Journal of Applied Physics,78(1),584-586. |
| MLA | W. X. Chen,et al."EXPERIMENTAL-STUDY ON THE ER/P-INP SCHOTTKY-BARRIER".Journal of Applied Physics 78.1(1995):584-586. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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