GaN 基 HEMT材料的新结构研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 毕杨 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2012 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王晓亮 研究员 |
| 关键词 | 氮化镓 铟铝氮 二维电子气 高电子迁移率晶体管 短沟道效应 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2012-05-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22937]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕杨. GaN 基 HEMT材料的新结构研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2012. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。