Band hybridization and spin-splitting in InAs/AISb/GaSb type II and broken-gap quantum wells
文献类型:期刊论文
作者 | W. Xu ; L. L. Li ; H. M. Dong ; G. Gumbs ; P. A. Folkes |
刊名 | journal of applied physics
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出版日期 | 2010 |
学科主题 | 纳米材料与技术 |
公开日期 | 2012-05-14 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/5229] ![]() |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | W. Xu,L. L. Li,H. M. Dong,et al. Band hybridization and spin-splitting in InAs/AISb/GaSb type II and broken-gap quantum wells[J]. journal of applied physics,2010. |
APA | W. Xu,L. L. Li,H. M. Dong,G. Gumbs,&P. A. Folkes.(2010).Band hybridization and spin-splitting in InAs/AISb/GaSb type II and broken-gap quantum wells.journal of applied physics. |
MLA | W. Xu,et al."Band hybridization and spin-splitting in InAs/AISb/GaSb type II and broken-gap quantum wells".journal of applied physics (2010). |
入库方式: OAI收割
来源:合肥物质科学研究院
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