倒V电子沉降通量能谱的理论计算
文献类型:期刊论文
作者 | 刘振兴 ; 黄迎雷 |
刊名 | 空间科学学报
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出版日期 | 1983 |
卷号 | 3期号:4页码:287-294 |
关键词 | 等离子体湍流 电子沉降 理论计算 通量 能谱分布 峰值能量 平行电场 等离子体片 直流电场 |
ISSN号 | 0254-6124 |
通讯作者 | 刘振兴 |
中文摘要 | 沿极光区磁力线大约在2000公里到8000公里的高度范围内,存在着一个等离子体湍流和大尺度平行电场的加速区。沿磁力线运动的等离子体片中的电子通过此加速区时,受到等离子体湍流和平行电场的共同作用,形成电子沉降的倒V结构。从一维准线性的动力学方程出发,导出了沉降电子通量的能谱方程,得出了电子通量能谱的理论公式。对等离子体湍流和平行电场对沉降电子能谱的影响作了分析和讨论。本文所提出的理论可以解释目前观测到的某些基本现象。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/37810] ![]() |
专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘振兴,黄迎雷. 倒V电子沉降通量能谱的理论计算[J]. 空间科学学报,1983,3(4):287-294. |
APA | 刘振兴,&黄迎雷.(1983).倒V电子沉降通量能谱的理论计算.空间科学学报,3(4),287-294. |
MLA | 刘振兴,et al."倒V电子沉降通量能谱的理论计算".空间科学学报 3.4(1983):287-294. |
入库方式: OAI收割
来源:力学研究所
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