扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李元恒
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 3期号:4页码:340-342 |
| 关键词 | 连续CO_2激光 激光辐照 薄层电阻 扩硼 激光功率密度 辐照后 激光扫描速度 电激活 面密度 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 通讯作者 | 李元恒 |
| 中文摘要 | 本文研究了高温高浓度扩硼Si在连续CO_2激光辐照后表面薄层电阻随激光功率密度和扫描速度的变化.实验发现,一定功率密度和扫描速度的CO_2激光辐照可使扩硼Si的载流子面密度提高到原来的一倍半到三倍左右. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/38034]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 李元恒 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李元恒. 扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性[J]. 半导体学报,1982,3(4):340-342. |
| APA | 李元恒.(1982).扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性.半导体学报,3(4),340-342. |
| MLA | 李元恒."扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性".半导体学报 3.4(1982):340-342. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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