红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王春奎 ; 傅裕寿
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| 刊名 | 仪器仪表学报
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| 出版日期 | 1982 |
| 卷号 | 3期号:4页码:391-395 |
| 关键词 | 电阻率 光吸收系数 红外光 光子 理论分析 空穴迁移率 探测仪 时间响应 吸收截面 |
| ISSN号 | 0254-3087 |
| 通讯作者 | 王春奎 |
| 中文摘要 | 本文对红外(10.6μm)光子牵引探测仪中P型锗的吸收系数与电阻率的关系进行了讨论。导出了P型锗对10.6μm光的吸收系数的简便公式。进而根据理论分析,给出了光子牵引探测仪锗棒的电阻率、长度及截面等最佳参数的选取原则和结果。利用文章中的公式可以很方便地计算锗元件参数和响应率。本文对光子牵引探测仪的制作有一定的指导意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/38040]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 王春奎 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王春奎,傅裕寿. 红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究[J]. 仪器仪表学报,1982,3(4):391-395. |
| APA | 王春奎,&傅裕寿.(1982).红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究.仪器仪表学报,3(4),391-395. |
| MLA | 王春奎,et al."红外光子牵引探测仪中P型锗元件最佳参数的研究".仪器仪表学报 3.4(1982):391-395. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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