强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李元恒
|
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 5页码:82 |
| 关键词 | Si片 椭圆偏振光 强激光 辐照时间 激光退火 集成电路 样片 激光辐照 离子注入 |
| ISSN号 | 0258-7025 |
| 通讯作者 | 李元恒 |
| 中文摘要 | <正> 用强激光辐照的方法对集成电路用的离子注入Si进行退火是近几年大力研究的一个问题。至今为止绝大多数的激光退火都是采用红宝石、YAG、氩离子等波长较短的激光器。实验虽已证实CO_2激光的退火效果完全可与其他激光比美,然而研究者甚少,且基本上限于最后结果的观测。激光作为电磁波,其趋肤深度 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/38076]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 通讯作者 | 李元恒 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李元恒. 强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究[J]. 中国激光,1982(5):82. |
| APA | 李元恒.(1982).强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究.中国激光(5),82. |
| MLA | 李元恒."强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究".中国激光 .5(1982):82. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
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