Valence band offset of wurtzite InN/SrTiO3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
文献类型:期刊论文
作者 | Li, Zhiwei ; Zhang, Biao ; Wang, Jun ; Liu, Jianming ; Liu, Xianglin ; Yang, Shaoyan ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo |
刊名 | nanoscale research letters
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出版日期 | 2011 |
卷号 | 6页码:1-4 |
关键词 | Conduction bands Photons X ray photoelectron spectroscopy Zinc sulfide |
ISSN号 | 19317573 |
通讯作者 | li, z.(lizhiwei@semi.ac.cn) |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-06-14 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23126] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, Zhiwei,Zhang, Biao,Wang, Jun,et al. Valence band offset of wurtzite InN/SrTiO3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy[J]. nanoscale research letters,2011,6:1-4. |
APA | Li, Zhiwei.,Zhang, Biao.,Wang, Jun.,Liu, Jianming.,Liu, Xianglin.,...&Wang, Zhanguo.(2011).Valence band offset of wurtzite InN/SrTiO3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy.nanoscale research letters,6,1-4. |
MLA | Li, Zhiwei,et al."Valence band offset of wurtzite InN/SrTiO3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy".nanoscale research letters 6(2011):1-4. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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