Multi-wafer3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan, Guoguo ; Sun, Guosheng ; Wu, Hailei ; Wang, Lei ; Zhao, Wanshun ; Liu, Xingfang ; Zeng, Yiping ; Wen, Jialiang |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:6页码:63001 |
| ISSN号 | 16744926 |
| 关键词 | Chemical vapor deposition Deposition Electric resistance Epitaxial growth Film growth Sheet resistance Silicon carbide Silicon wafers |
| 通讯作者 | yan, g.(ggyan@semi.ac.cn) |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23038]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan, Guoguo,Sun, Guosheng,Wu, Hailei,et al. Multi-wafer3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor[J]. journal of semiconductors,2011,32(6):63001. |
| APA | Yan, Guoguo.,Sun, Guosheng.,Wu, Hailei.,Wang, Lei.,Zhao, Wanshun.,...&Wen, Jialiang.(2011).Multi-wafer3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor.journal of semiconductors,32(6),63001. |
| MLA | Yan, Guoguo,et al."Multi-wafer3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor".journal of semiconductors 32.6(2011):63001. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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