High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yin, Haibo ; Wang, Xiaoliang ; Ran, Junxue ; Hu, Guoxin ; Zhang, Lu ; Xiao, Hongling ; Li, Jing ; Li, Jinmin |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:3页码:33002 |
| 关键词 | Epitaxial growth Gallium nitride |
| ISSN号 | 16744926 |
| 通讯作者 | yin, h.(hbyin@semi.ac.cn) |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23041]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yin, Haibo,Wang, Xiaoliang,Ran, Junxue,et al. High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system[J]. journal of semiconductors,2011,32(3):33002. |
| APA | Yin, Haibo.,Wang, Xiaoliang.,Ran, Junxue.,Hu, Guoxin.,Zhang, Lu.,...&Li, Jinmin.(2011).High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system.journal of semiconductors,32(3),33002. |
| MLA | Yin, Haibo,et al."High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system".journal of semiconductors 32.3(2011):33002. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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