T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Du, Y.D. ; Cao, H.Z. ; Yan, W. ; Han, W.H. ; Liu, Y. ; Dong, X.Z. ; Zhang, Y.B. ; Jin, F. ; Zhao, Z.S. ; Yang, F.H. ; Duan, X.M. |
| 刊名 | applied physics a: materials science and processing
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| 出版日期 | 2011 |
| 页码 | 1-5 |
| 关键词 | Ablation Drain current Fabrication Gallium nitride High electron mobility transistors Photoresists Ultrashort pulses |
| ISSN号 | 09478396 |
| 通讯作者 | han, w.h.(weihua@semi.ac.cn) |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23064]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Du, Y.D.,Cao, H.Z.,Yan, W.,et al. T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation[J]. applied physics a: materials science and processing,2011:1-5. |
| APA | Du, Y.D..,Cao, H.Z..,Yan, W..,Han, W.H..,Liu, Y..,...&Duan, X.M..(2011).T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation.applied physics a: materials science and processing,1-5. |
| MLA | Du, Y.D.,et al."T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation".applied physics a: materials science and processing (2011):1-5. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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