Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with InAs quantum dots
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, Y.Q. ; Wang, X.D. ; Xu, X.N. ; Liu, W. ; Yang, F.H. ; Zeng, Y.P. |
| 刊名 | physica e: low-dimensional systems and nanostructures
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 44期号:3页码:686-689 |
| 关键词 | Electron absorption Indium arsenide Logic circuits MODFETS Modulation Two dimensional electron gas |
| ISSN号 | 13869477 |
| 通讯作者 | wang, x.d.(xdwang@semi.ac.cn) |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23068]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, Y.Q.,Wang, X.D.,Xu, X.N.,et al. Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with InAs quantum dots[J]. physica e: low-dimensional systems and nanostructures,2011,44(3):686-689. |
| APA | Li, Y.Q.,Wang, X.D.,Xu, X.N.,Liu, W.,Yang, F.H.,&Zeng, Y.P..(2011).Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with InAs quantum dots.physica e: low-dimensional systems and nanostructures,44(3),686-689. |
| MLA | Li, Y.Q.,et al."Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with InAs quantum dots".physica e: low-dimensional systems and nanostructures 44.3(2011):686-689. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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