Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, Yanbo ; Du, Yandong ; Xiong, Ying ; Yang, Xiang ; Han, Weihua ; Yang, Fuhua, |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:9页码:94001 |
| 关键词 | Carrier concentration Electric fields Fins(heat exchange) |
| ISSN号 | 16744926 |
| 通讯作者 | han, w.(weihua@semi.ac.cn) |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23070]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Yanbo,Du, Yandong,Xiong, Ying,et al. Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs[J]. journal of semiconductors,2011,32(9):94001. |
| APA | Zhang, Yanbo,Du, Yandong,Xiong, Ying,Yang, Xiang,Han, Weihua,&Yang, Fuhua,.(2011).Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs.journal of semiconductors,32(9),94001. |
| MLA | Zhang, Yanbo,et al."Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs".journal of semiconductors 32.9(2011):94001. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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